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半導(dǎo)體的起源

發(fā)布日期:2022-09-28 11:57:37   瀏覽量 :2704
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半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)實(shí)際上可以追溯到很久以前。 1833年,英國(guó)科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬,一般情況下,金屬的電阻隨溫度升高而增加,但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。 [3] 不久,1839年法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié),在光照下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓,這就是后來(lái)人們熟知的光生伏特效應(yīng),這是被發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體的第二個(gè)特性。 [3] 1873年,英國(guó)的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導(dǎo)增加的光電導(dǎo)效應(yīng),這是半導(dǎo)體的第三種特性。 [3] 在1874年,德國(guó)的布勞恩觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),即它的導(dǎo)電有方向性,在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過(guò)來(lái),它就不導(dǎo)電,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng),也是半導(dǎo)體所特有的第四種特性。同年,舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。 [3] 半導(dǎo)體的這四個(gè)特性,雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了,但半導(dǎo)體這個(gè)名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結(jié)出半導(dǎo)體的這四個(gè)特性一直到1947年12月才由貝爾實(shí)驗(yàn)室完成。 [3] 2019年10月,一國(guó)際科研團(tuán)隊(duì)稱(chēng)與傳統(tǒng)霍爾測(cè)量中僅獲得3個(gè)參數(shù)相比,新技術(shù)在每個(gè)測(cè)試光強(qiáng)度下最多可獲得7個(gè)參數(shù):包括電子和空穴的遷移率;在光下的載荷子密度、重組壽命、電子、空穴和雙極性類(lèi)型的擴(kuò)散長(zhǎng)度。

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